Els-transistors d'efecte de camp (FET) són dispositius-controlats de tensió, mentre que els transistors són dispositius-controlats de corrent. Els FET s'han de triar quan només es permet un petit consum de corrent de la font del senyal; per contra, els transistors s'han de triar quan la tensió del senyal és baixa però es permet un consum de corrent més gran. Els FET condueixen utilitzant portadors majoritaris, per tant, s'anomenen dispositius unipolars, mentre que els transistors condueixen amb portadors majoritaris i minoritaris, per tant s'anomenen dispositius bipolars.
Alguns FET tenen terminals de font i drenatge intercanviables, i la seva tensió de porta pot ser positiva o negativa, oferint una major flexibilitat que els transistors.
Els FET poden funcionar en condicions de corrent molt baixa i de baixa tensió, i els seus processos de fabricació permeten una fàcil integració de molts FET en un sol xip de silici. Per tant, els FET s'utilitzen àmpliament en-circuits integrats a gran escala.
