Paràmetres DC
Corrent de drenatge de saturació (IDSS): es defineix com el corrent de drenatge quan la tensió de la font-de la porta és zero, però la tensió de la font de drenatge-és més gran que la tensió d'apagat-.
Tensió d'apagada-de pessic (UP): es defineix com l'UGS necessari per reduir l'ID a un corrent molt petit quan l'UDS és constant.
Tensió d'enlairament-(UT): es defineix com l'UGS necessari per portar l'ID a un valor determinat quan l'UDS és constant.
Paràmetres de CA
Els paràmetres de CA es poden dividir en dues categories: resistència de sortida i transconductància de baixa -freqüència. La resistència de sortida sol ser d'entre desenes i centenars de quilohms, mentre que la transconductància de baixa-freqüència es troba generalment en el rang d'unes dècimes a uns quants mil·lisieverts, amb algunes que arriben a 100 ms o fins i tot més.
Transconductància de baixa-freqüència (gm): descriu l'efecte de control de la tensió de la font-porta sobre el corrent de drenatge.
Capacitat inter-elèctrodes: la capacitat entre els tres elèctrodes d'un MOSFET. Un valor més petit indica un millor rendiment del transistor.
Paràmetres limitants
① Corrent de drenatge màxim: el límit superior del corrent de drenatge admissible durant el funcionament normal del transistor.
② Màxima dissipació de potència: la potència del transistor, limitada per la temperatura màxima de funcionament del transistor.
③ Tensió màxima de drenatge-font: la tensió a la qual es produeix la ruptura d'allau, quan el corrent de drenatge comença a augmentar bruscament.
④ Tensió màxima de la font-de la porta: la tensió a la qual el corrent invers entre la porta i la font comença a augmentar bruscament.
A més dels paràmetres anteriors, hi ha altres paràmetres com ara la capacitat inter-elèctrodes i els paràmetres d'alta-freqüència.
Tensió d'avaria de drenatge i font: quan el corrent de drenatge augmenta bruscament, es produeix l'UDS (demanda superior) durant l'avaria d'allau.
Tensió de ruptura de la porta: durant el funcionament normal d'un transistor d'efecte -camp d'unió (JFET), la unió PN entre la porta i la font està polaritzada-invertidament. Si el corrent és massa alt, es produirà una avaria.
Els principals paràmetres en què cal centrar-se durant l'ús són:
1. IDSS-Drenatge de saturació-corrent font. Això es refereix al transistor d'efecte drenatge-font en una unió o esgotament-tipus aïllat-camp de porta-transistor quan la tensió de porta UGS=0.
2. UP-Tensió-desactivada{. 3. **UT-Take-Tensió:** la tensió de la porta a la qual s'acaba d'apagar la unió de dren-font en un tipus d'unió-o d'esgotament-de camp aïllat{{{9}0}IG de tipus transistor{1}
4. gM-Transconductància: representa la capacitat de control de la-tensió de la porta UGS sobre l'ID de corrent de drenatge, és a dir, la relació entre el canvi en l'ID de corrent de drenatge i el canvi de la tensió de la porta-UGS. gM és un paràmetre important per mesurar la capacitat d'amplificació d'un IGFET.
5. BUDS-Drenatge-Tensió de ruptura de la font: la tensió màxima de dren-font que pot suportar l'IGFET en funcionament normal quan la tensió de la font-UGS és constant. Aquest és un paràmetre limitant; la tensió de funcionament aplicada a l'IGFET ha de ser inferior a BUDS.
6.PDSM-Màxima dissipació d'energia: també un paràmetre limitant, es refereix a la dissipació de potència de la font de drenatge màxim admissible- sense degradar el rendiment de l'IGFET. En ús, el consum d'energia real de l'IGFET hauria de ser inferior al PDSM amb un cert marge. 7. **IDSM-Drenatge màxim-Corrent de font:** IDSM és un paràmetre limitant que fa referència al corrent màxim que es permet passar entre el drenatge i la font d'un transistor d'efecte de camp-durant el funcionament normal (FET). El corrent de funcionament del FET no ha de superar l'IDSM.
