El 23 de desembre de 1947, als Bell Labs de Murray Hill, Nova Jersey, tres científics-Dr. Bardeen, el doctor Brighton i el doctor Shockley-estaven realitzant experiments amb un enfocament intens però metòdic. Estaven amplificant senyals sonores utilitzant cristalls semiconductors dins d'un circuit conductor. Per a la seva sorpresa, van descobrir que un petit corrent que flueix per una part del seu dispositiu inventat podria controlar un corrent molt més gran que flueix per una altra part, produint així un efecte d'amplificació. Aquest dispositiu va ser el transistor, un assoliment innovador en la història de la ciència. Com que es va inventar la vigília de Nadal i va tenir un impacte tan profund en la vida futura de les persones, es va anomenar "un regal de Nadal al món". Aquests tres científics van rebre conjuntament el Premi Nobel de Física de 1956 per aquest descobriment.
Una nova investigació ha descobert que dipositar una capa de material corresponent al substrat fora del punt de sortida d'electrons d'un transistor pot formar una estructura P{-N refrigerada per semiconductors. Com que els nivells d'energia dels electrons del material N són baixos i els del material P són alts, quan els electrons passen, necessiten absorbir la calor del substrat, proporcionant una manera excel·lent de dissipar la calor del nucli del transistor. Com que la calor dissipada és directament proporcional al corrent, aquesta tecnologia s'anomena, en sentit figurat, refrigeració "sang electrònica". Depenent de la polaritat del material afegit, els nous transistors de refrigeració s'anomenen N-PNP o NPN-P.
El transistor va provocar i facilitar la "revolució de l'estat sòlid-", que al seu torn va impulsar la indústria global de l'electrònica de semiconductors. Com a component clau, es va aplicar en primer lloc a les eines de comunicació, generant enormes beneficis econòmics. Com que el transistor va canviar fonamentalment l'estructura dels circuits electrònics, van sorgir circuits integrats i circuits integrats a gran-escala, fent realitat la fabricació de dispositius d'alta-precisió, com ara ordinadors electrònics d'alta-velocitat.
