Un transistor es fa fabricant dues unions PN molt espaiades sobre un substrat semiconductor. Aquestes dues unions PN divideixen el semiconductor en tres parts: la part mitjana és la regió base i les dues parts exteriors són les regions emissores i col·lectores. Hi ha dues configuracions comunes: PNP i NPN.
Els electrons s'extreuen d'aquestes tres regions: la base (b), l'emissor (e) i el col·lector (c).
La unió PN entre les regions emissores i base s'anomena unió emissor, i la unió PN entre les regions col·lectores i base s'anomena unió col·lectora. La regió base és molt prima, mentre que la regió emissora és més gruixuda i té una concentració d'impureses més alta. En un transistor PNP, la regió emissora emet forats i la seva direcció de moviment és la mateixa que la direcció actual, per tant, la fletxa de l'emissor apunta cap a dins. En un transistor NPN, la regió emissora emet electrons lliures i la seva direcció de moviment és oposada a la direcció actual, per tant, la fletxa de l'emissor apunta cap a l'exterior. La direcció de la fletxa emissora també indica la direcció de conducció de la unió PN sota polarització cap endavant. Tant els transistors de silici com de germani vénen de tipus PNP i NPN.
Tipus de paquets de transistors i identificació de pins
Els paquets de transistors comuns es divideixen en dues categories principals: paquets metàl·lics i paquets de plàstic. La disposició dels pins segueix determinades regles. A la vista inferior, les tres agulles es col·loquen de manera que formen els vèrtexs d'un triangle isòsceles, numerat e, b i c d'esquerra a dreta. Per als transistors de plàstic de potència petita i mitjana, col·loqueu-los amb el costat pla cap a vosaltres i les tres agulles apuntant cap avall; llavors les agulles es numeren e, b i c d'esquerra a dreta.
Hi ha molts tipus de transistors a la Xina i la seva disposició de pins varien. Quan s'utilitza un transistor amb una disposició de pins incerta, és essencial mesurar per determinar les posicions correctes dels pins o consultar el manual d'usuari del transistor per conèixer les seves característiques, paràmetres tècnics i informació rellevant.
